The present invention comprises the steps of (a) forming a first electrode
on a substrate via an adhesion enhancing layer, (b) forming a capacitor
insulating film containing a laminated film, in which an amorphous
dielectric film and a polycrystalline dielectric film are laminated via a
wave-like interface, by forming sequentially and successively the
amorphous dielectric film and the polycrystalline dielectric film made of
same material on the first electrode, (c) forming a second electrode on
the capacitor insulating film, and (d) a step of annealing the capacitor
insulating film in an oxygen atmosphere.
Die anwesende Erfindung enthält die Schritte von (a) einer ersten Elektrode auf einem Substrat über eine Adhäsion bildend, die Schicht erhöht, (b), einen isolierenden Film des Kondensators bildend, der einen lamellierten Film enthält, in dem ein formloser dielektrischer Film und ein polykristalliner dielektrischer Film über eine wellenähnliche Schnittstelle lamelliert werden, indem man sich der Reihe nach und mehrmals hintereinander der formlose dielektrische Film und der polykristalline dielektrische Film, der vom gleichen Material auf der ersten Elektrode gebildet wird, (c) bildet, eine zweite Elektrode auf dem isolierenden Film des Kondensators und (d) einen Schritt des Temperns des isolierenden Filmes des Kondensators in einer Sauerstoffatmosphäre bildend.
