A Dual Gate BCMD pixel has a compact size, nondestructive readout; complete
reset with no kTC-reset noise generation, anti-blooming protection, and
column reset capability. By incorporating a dual gate MOS transistor with
an enclosed annular layout into the pixels of image sensing array, and
sensing photo-generated charge nondestructively by detecting the
transistor threshold voltage variations caused by collected charge,
achieves this goal and other objects of the invention.
Um pixel duplo da porta BCMD tem um tamanho compacto, readout nondestructive; termine a restauração com nenhuma proteção da geração, anti-florescer de ruído da kTC-restauração, e potencialidade da restauração da coluna. Incorporando um transistor duplo do MOS da porta com uma disposição anular incluida nos pixels da imagem detetar a disposição, e detetar a carga foto-gerada nondestructively detectando as variações da tensão do ponto inicial do transistor causadas pela carga coletada, conseguem este objetivo e outros objetos da invenção.
