A field effect transistor occupying a small area and a semiconductor device
using the same can be obtained. A gate electrode is provided on a
substrate on which a source region is provided with a first interlayer
insulating film interposed therebetween. The gate electrode is covered
with a second interlayer insulating film. A contact hole for exposing a
part of the surface of the source region is provided so as to penetrate
through the first interlayer insulating film, the gate electrode, and the
second interlayer insulating film. A sidewall surface of the contact hole
is covered with a gate insulating film. A first semiconductor layer of a
first conductivity type is provided on the surface of the source region in
contact therewith up to the lower surface of the gate electrode. A channel
semiconductor layer is provided on the surface of the first semiconductor
layer up to the upper surface of the gate electrode. A second
semiconductor layer of a first conductivity type serving as a drain region
is provided on the channel semiconductor layer.
Een gebiedseffect transistor die een klein gebied en een halfgeleiderapparaat bezet die het zelfde gebruiken kan worden verkregen. Een poortelektrode wordt verstrekt op een substraat waarop een brongebied wordt voorzien van een eerste ingevoegde tussenlaag isolerende film therebetween. De poortelektrode is behandeld met een tweede tussenlaag isolerende film. Een contactgat voor het blootstellen van een deel van de oppervlakte van het brongebied wordt verstrekt om door de eerste tussenlaag isolerende film, de poortelektrode, en de tweede tussenlaag isolerende film te doordringen. Een zijwandoppervlakte van het contactgat is behandeld met een poort isolerende film. Een eerste halfgeleiderlaag van een eerste geleidingsvermogentype wordt verstrekt op de oppervlakte van het brongebied in contact daarmee tot de lagere oppervlakte van de poortelektrode. Een laag van de kanaalhalfgeleider wordt verstrekt op de oppervlakte van de eerste halfgeleiderlaag tot de hogere oppervlakte van de poortelektrode. Een tweede halfgeleiderlaag van een eerste geleidingsvermogentype dat als afvoerkanaalgebied dient wordt verstrekt op de laag van de kanaalhalfgeleider.
