Trench MIS devices including a thick insulative layer at the bottom of the
trench are disclosed, along with methods of fabricating such devices. An
exemplary trench MOSFET embodiment includes a thick oxide layer at the
bottom of the trench, with no appreciable change in stress in the
substrate along the trench bottom. The thick insulative layer separates
the trench gate from the drain region at the bottom of the trench yielding
a reduced gate-to-drain capacitance making such MOSFETs suitable for high
frequency applications. In an exemplary fabrication process embodiment,
the thick insulative layer is deposited on the bottom of the trench. A
thin insulative gate dielectric is formed on the exposed sidewall and is
coupled to the thick insulative layer. A gate is formed in the remaining
trench volume. The process is completed with body and source implants,
passivation, and metallization.
Graben MIS Vorrichtungen einschließlich eine starke insulative Schicht an der Unterseite des Grabens werden, zusammen mit Methoden des Fabrizierens solcher Vorrichtungen freigegeben. Eine mustergültige Graben MOSFET Verkörperung schließt eine starke Oxidschicht an der Unterseite des Grabens, ohne beträchtliche Änderung im Druck im Substrat entlang der Grabenunterseite ein. Die starke insulative Schicht trennt das Grabengatter von der Abflußregion an der Unterseite des Grabens, der verringert erbringt, Gatter-zu-ablassen die Kapazitanz, die solche MOSFETs verwendbar für Hochfrequenzanwendungen bildet. In einer mustergültigen Herstellung Prozeßverkörperung wird die starke insulative Schicht auf der Unterseite des Grabens niedergelegt. Ein dünner insulative Gatternichtleiter wird auf der herausgestellten Seitenwand gebildet und wird zur starken insulative Schicht verbunden. Ein Gatter wird im restlichen Grabenvolumen gebildet. Der Prozeß wird mit Körper- und Quellimplantaten, Passivierung und Metallization durchgeführt.
