The present invention provides a p-channel metal-oxide-semiconductor (pMOS)
device having an ultra shallow epi-channel satisfying a high doping
concentration required for a device of which gate length is about 30 nm
even without using a HALO doping layer and a method for fabricating the
same. The pMOS device includes: a semiconductor substrate; a channel
doping layer being formed in a surface of the semiconductor substrate and
being dually doped with dopants having different diffusion rates; a
silicon epi-layer being formed on the channel doping layer, whereby
constructing an epi-channel along with the channel doping layer; a gate
insulating layer formed on the silicon epi-layer; a gate electrode formed
on the gate insulating layer; a source/drain extension region highly
concentrated and formed in the semiconductor substrate of lateral sides of
the epi-channel; and a source/drain region electrically connected to the
source/drain extension region and deeper than the source/drain region.
Присытствыющий вымысел обеспечивает приспособление металл-окис-poluprovodnika п-kanala (pMOS) имея ультра отмелый епи-kanal удовлетворять высокая давая допинг необходим концентрация для приспособления длина строба около 30 nm даже без использования слоя ВЕНЧИКА давая допинг и метода для изготовлять эти же. Приспособление pMOS вклюает: субстрат полупроводника; слой канала давая допинг будучи сформированным в поверхности субстрата полупроводника и двойно будучи данным допинг при dopants имея по-разному тарифы диффузии; эпислой кремния будучи сформированной на слое канала давая допинг, whereby строящ епи-kanal вместе с слоем канала давая допинг; слой строба изолируя сформировал на эпислое кремния; электрод строба сформировал на слое строба изолируя; зона выдвижения source/drain высоки сконцентрировала и сформировала в субстрате полупроводника боковых сторон епи-kanala; и зона source/drain электрически подключила к зоне выдвижения source/drain и глубоко чем зона source/drain.
