Methods and apparatus for providing an antifuse are disclosed, where the
antifuse includes a semiconductor substrate having an active area
circumscribed by a shallow trench isolation (STI) boundary; a gate
conductor disposed above the semiconductor substrate and overlying at
least a portion of the STI boundary; a dielectric disposed between the
semiconductor substrate and the gate conductor; a first terminal coupled
to the gate conductor; and a second terminal coupled to the semiconductor
substrate, wherein a breakdown of the dielectric causes electrical
connections between regions of the gate conductor and regions of the
active area including substantially near the STI boundary.
Методы и приборы для обеспечивать antifuse показаны, где antifuse вклюает субстрат полупроводника имея активно область быть описанным отмелой границей изоляции шанца (STI); проводник строба размещал над субстратом полупроводника и overlying по крайней мере часть границы STI; диэлектрик размещал между субстратом полупроводника и проводником строба; первый стержень соединенный к проводнику строба; и второй стержень соединенный к субстрату полупроводника, при котором нервное расстройство диэлектрика причиняет электрические соединения между зонами проводника строба и зонами активно зоны включая существенн почти граница STI.
