There is disclosed a method of fabricating TFTs having reduced interconnect
resistance by having improved contacts to source/drain regions. A silicide
layer is formed in intimate contact with the source/drain regions. The
remaining metallization layer is selectively etched to form a contact pad
or conductive interconnects.
Se divulga un método de fabricar TFTs que reduce resistencia de la interconexión mejorando contactos a las regiones de source/drain. Una capa del silicide se forma en contacto íntimo con las regiones de source/drain. La capa restante de la metalización se graba al agua fuerte selectivamente para formar un cojín del contacto o conductor interconecta.
