A method for forming a flash memory device having a local interconnect
connecting source regions of a plurality of transistors within a sector
allows for a highly-selective wet etch of a dielectric region overlying
the source region. An embodiment of the method comprises the use of an
etch-resistant layer covering various features such as any gate oxide
remaining over the source region, spacers along sidewalls of the
transistor stacks, and a capping layer of the transistor. An in-process
semiconductor device resulting from the inventive method is also
disclosed.
Une méthode pour former un bloc de mémoires instantané ayant des régions se reliantes d'une source d'interconnexion locale d'une pluralité de transistors dans un secteur tient compte d'un haut-sélectif a mouillé gravure à l'eau forte d'une région diélectrique recouvrant la région de source. Une incorporation de la méthode comporte l'utilisation d'une couche graver à l'eau-forte-résistante couvrant de divers dispositifs tels que n'importe quel oxyde de porte restant au-dessus de la région de source, des entretoises le long des parois latérales des piles de transistor, et d'une couche couvrante du transistor. Un dispositif de semi-conducteur de dans-processus résultant de la méthode inventive est également révélé.
