A semiconductor device having an analog capacitor and a method of
fabricating the same are disclosed. The semiconductor device includes a
bottom plate electrode disposed at a predetermined region of a
semiconductor substrate, and an upper plate electrode having a region
overlapped with the bottom plate electrode thereon. The upper plate
electrode and the bottom plate electrode are formed of a metal compound. A
capacitor dielectric layer is interposed between the bottom plate
electrode and the upper plate electrode. A bottom electrode plug and an
upper electrode plug are connected to the bottom plate electrode and the
upper plate electrode through the interlayer dielectric layer.
Μια συσκευή ημιαγωγών που έχουν έναν αναλογικό πυκνωτή και μια μέθοδος το ίδιο πράγμα αποκαλύπτονται. Η συσκευή ημιαγωγών περιλαμβάνει ένα ηλεκτρόδιο κατώτατων πιάτων που διατίθεται σε μια προκαθορισμένη περιοχή ενός υποστρώματος ημιαγωγών, και ένα ανώτερο ηλεκτρόδιο πιάτων που έχει μια περιοχή επικάλυψε με το ηλεκτρόδιο κατώτατων πιάτων επ'αυτού. Το ανώτερο ηλεκτρόδιο πιάτων και το ηλεκτρόδιο κατώτατων πιάτων διαμορφώνονται μιας ένωσης μετάλλων. Ένα διηλεκτρικό στρώμα πυκνωτών παρεμβάλλεται μεταξύ του ηλεκτροδίου κατώτατων πιάτων και του ανώτερου ηλεκτροδίου πιάτων. Ένα βούλωμα κατώτατων ηλεκτροδίων και ένα ανώτερο βούλωμα ηλεκτροδίων συνδέονται με το ηλεκτρόδιο κατώτατων πιάτων και το ανώτερο ηλεκτρόδιο πιάτων μέσω του διηλεκτρικού στρώματος ενδιάμεσων στρωμάτων.
