An electrically-programmable memory cell programmed by means of injection
of channel hot electrons into a charge-storage element capacitively
coupled to a memory cell channel for modulating a conductivity thereof
depending on a stored amount of charge. A first and a second spaced-apart
electrode regions are formed in a semiconductor layer and define a channel
region there between; at least one of the first and second electrode
regions acts as a programming electrode of the memory cell. A control
electrode is capacitively coupled to the charge-storage element. The
charge-storage element is placed over the channel to substantially extend
from the first to the second electrode regions, and is separated from the
channel region by a dielectric layer. The dielectric layer has a reduced
thickness in a portion thereof near the at least one programming
electrode.
Eine elektrisch-programmierbare Speicherzelle programmiert mittels der Einspritzung Führung der heißen Elektronen in ein Ladungsspeicherelement capacitively verbunden zu einer Speicherzelle Führung für das Modulieren einer Leitfähigkeit davon abhängig von einer gespeicherten Menge der Aufladung. Erste und eine zweite Raum-auseinander Elektrode Regionen werden in einer Halbleiterschicht gebildet und eine Führung Region dort zwischen definieren; eine mindestens der ersten und zweiten Elektrode Regionen dient als eine programmierenelektrode der Speicherzelle. Eine Steuerelektrode wird capacitively zum Ladungsspeicherelement verbunden. Das Ladungsspeicherelement wird über die Führung gesetzt, um von den ersten bis zweiten Elektrode Regionen im wesentlichen zu verlängern und wird von der Führung Region durch eine dielektrische Schicht getrennt. Die dielektrische Schicht hat eine verringerte Stärke in einem Teil davon nahe der mindestens einer programmierenelektrode.
