Capacitor structures for use in integrated circuits and methods of their
manufacture. The capacitor structures include a bottom electrode, a top
electrode and a dielectric layer interposed between the bottom electrode
and the top electrode. The capacitor structures further include a metal
oxide buffer layer interposed between the dielectric layer and at least
one of the bottom and top electrodes. Each metal oxide buffer layer acts
to improve capacitance and reduce capacitor leakage. The capacitors are
suited for use as memory cells and apparatus incorporating such memory
cells, as well as other integrated circuits.
Estruturas do capacitor para o uso em circuitos integrados e em métodos de sua manufatura. As estruturas do capacitor incluem um elétrodo inferior, um elétrodo superior e uma camada dieléctrica interposed entre o elétrodo inferior e o elétrodo superior. As estruturas do capacitor mais adicionais incluem uma camada do amortecedor do óxido de metal interposed entre a camada e ao menos dieléctricas dos elétrodos do fundo e do alto. Cada camada do amortecedor do óxido de metal age para melhorar a capacidade e reduzir o escapamento do capacitor. Os capacitores são servidos para o uso como as pilhas e o instrumento de memória que incorporam tais pilhas de memória, as.well.as outros circuitos integrados.
