A contact structure for a ferroelectric memory device integrated in a
semiconductor substrate and includes an appropriate control circuitry and
a matrix array of ferroelectric memory cells, wherein each cell includes a
MOS device connected to a ferroelectric capacitor. The MOS device has
first and second conduction terminals and is covered with an insulating
layer. The ferroelectric capacitor has a lower plate formed on the
insulating layer above the first conduction terminals and connected
electrically to the first conduction terminals, which lower plate is
covered with a layer of a ferroelectric material and coupled capacitively
to an upper plate. Advantageously, the contact structure comprises a
plurality of plugs filled with a non-conductive material between the first
conduction terminals and the ferroelectric capacitor, and comprises a
plurality of plugs filled with a conductive material and coupled to the
second conduction terminals or the control circuitry.
Een contactstructuur voor een ferroelectric geheugenapparaat integreerde in een halfgeleidersubstraat en omvat een aangewezen controleschakelschema en een matrijsserie van ferroelectric geheugencellen, waarin elke cel een MOS apparaat omvat dat aan een ferroelectric condensator wordt aangesloten. Het MOS apparaat heeft eerst en tweede geleidingsterminals en is behandeld met een het isoleren laag. De ferroelectric condensator heeft een lagere plaat die op de het isoleren laag boven de eerste geleidingsterminals wordt gevormd en die elektrisch met de eerste geleidingsterminals wordt verbonden, die de lagere plaat met een laag van een ferroelectric materiaal aan een hogere plaat behandeld capacitively en gekoppeld is. Voordelig, bestaat de contactstructuur uit een meerderheid van stoppen die met een niet geleidend materiaal tussen de eerste geleidingsterminals en de ferroelectric condensator worden gevuld, en bestaat uit een meerderheid van stoppen die met een geleidend materiaal worden gevuld en die aan de tweede geleidingsterminals of het controleschakelschema worden gekoppeld.
