According to a preferred embodiment of the present invention, there is
provided a novel and optimal semiconductor light emitting device
comprising a substrate, an n layer disposed co-extensively on the
substrate, an n.sup.++ layer disposed non-extensively and flush on one
side of the n layer. Furthermore, a p.sup.+ layer is disposed
co-extensively on the n.sup.++ layer of the LED according to the
invention, with a p layer further disposed co-extensively on the p.sup.+
layer. A p cladding layer is disposed co-extensively on the p layer. A
multiple quantum well (MQW) layer is disposed co-extensively on the p
cladding layer, and an n cladding layer is further disposed co-extensively
on the MQW layer. A second n layer is disposed co-extensively on the n
cladding layer. An n.sup.+ layer is disposed co-extensively on the second
n layer of the LED according to the invention. After partially etching the
device, an n electrode is formed opposite n.sup.++ layer non-extensively
on the surface of n layer, and a second n electrode is formed
non-extensively (without etching) upon the n.sup.+ layer.
Entsprechend einer bevorzugten Verkörperung der anwesenden Erfindung, wird eine helle ausstrahlende Vorrichtung des Romans und des optimalen Halbleiters zur Verfügung gestellt, die ein Substrat, ein n Schicht abgeschaffene Co-umfangreich auf dem Substrat, eine n.sup.++ Schicht enthält non-extensively und, die bündig auf einer Seite der n Schicht abgeschaffen wird. Ausserdem ist eine p.sup.+ Schicht abgeschaffene Co-umfangreich auf der n.sup.++ Schicht der LED entsprechend der Erfindung, mit eine p Schicht weiter abgeschaffene Co-umfangreich auf der p.sup.+ Schicht. Eine p Umhüllungschicht ist abgeschaffene Co-umfangreich auf der p Schicht. Eine mehrfache Schicht des Quantenbrunnens (MQW) ist- abgeschaffene Co-umfangreich auf der p Umhüllungschicht, und eine n Umhüllungschicht ist weiter abgeschaffene Co-umfangreich auf der MQW Schicht. Eine zweite n Schicht ist abgeschaffene Co-umfangreich auf der n Umhüllungschicht. Eine n.sup.+ Schicht ist abgeschaffene Co-umfangreich auf der zweiten n Schicht der LED entsprechend der Erfindung. Nachdem man teilweise die Vorrichtung geätzt hat, wird eine n Elektrode gegenüber von n.sup.++ Schicht non-extensively auf der Oberfläche der n Schicht gebildet, und eine zweite n Elektrode wird non-extensively (ohne Radierung) nach der n.sup.+ Schicht gebildet.
