A simplified cleaning method for the removal of particulates and adherent residues resulting from the incorporation of laser identification marks onto silicon wafers is described. The cleaning method consists of first immersing the wafers in a heated ammoniacal/hydrogen peroxide RCA-SC-1 cleaning solution in the presence of megasonic agitation. This is followed by a immersion rinse in de-ionized water heated to at least 50.degree. C. Finally the wafers are subjected to at least three quick-dump rinses in room temperature de-ionized water and dried. It is found that the hot de-ionized water rinse provides adequate removal of chemical residues remaining after the particle dislodging action of the megasonically agitated RCA SC-1 solution to eliminate the need for application of the acidic/hydrogen peroxide RCA SC-2 treatment.

Een vereenvoudigde reinigingsmethode voor de verwijdering van particulates en adherente residu's die uit de integratie van de tekens van de laseridentificatie op siliciumwafeltjes voortvloeien wordt beschreven. De reinigingsmethode bestaat uit eerst het onderdompelen van de wafeltjes in een verwarmd ammoniak/waterstofperoxyde rca-Sc-1 het schoonmaken oplossing in aanwezigheid van megasonic agitatie. Dit wordt door een onderdompelingsspoeling in gedeioniseerd water gevolgd dat aan minstens 50.degree. C wordt verwarmd. Tot slot worden de wafeltjes onderworpen aan minstens drie snel-stortplaatsspoelingen in kamertemperatuur gedeioniseerd water en droog. Men vindt dat de hete gedeioniseerde waterspoeling adequate verwijdering van chemische residu's verstrekt die na het deeltje blijven dat actie van de megasonically geageerde oplossing RCA verjaagt Sc-1 om de behoefte aan toepassing van de behandeling van het zuurrijke/waterstofperoxyde te elimineren RCA Sc-2.