A process for removing at least one thin-film layer from a surface of a workpiece pursuant to manufacturing a microelectronic interconnect or component is set forth. Generally stated, the process comprises the oxidation of at least a portion of the at least one thin-film layer and the etching of the oxidized thin-film layer using an etchant that selectively etches primarily the oxidized thin-film layer.

Un procédé pour enlever au moins une couche en couche mince d'une surface d'un objet conformément à fabriquer une interconnexion ou un composant microélectronique est déterminé. Généralement indiqué, le processus comporte l'oxydation au moins d'une partie de l'au moins une couche en couche mince et gravure à l'eau-forte de la couche en couche mince oxydée en utilisant un etchant qui grave à l'eau-forte sélectivement principalement la couche en couche mince oxydée.