The method of forming a photoresist pattern defining a contact hole. A photoresist pattern that defines an opening therethrough is provided over a semiconductor substrate surface. Then, a layer of water-soluble organic over-coating material (WASOOM) is coated over the photoresist pattern including the opening thereof. Next, the resulting structure is flowed to shrink the size of the opening. After the resist reflow, WASOOM is removed. Thus, using the methods of the present invention, a photoresist pattern capable of forming a 0.18 .mu.m (and below) contact hole can be formed using an inexpensive conventional optical lithography system. Further, because WASOOM is water-soluble, WASOOM can be substantially completely removed from the photoresist pattern using a simple cleaning process, i.e., water rinse, after baking for resist reflow. Thus, the process steps are simplified and the problems such as the difficulty in CD control and the environmental issues are avoided.

La méthode de former un modèle de vernis photosensible définissant un trou de contact. Un modèle de vernis photosensible qui définit une ouverture par là est fourni au-dessus d'une surface de substrat de semi-conducteur. Puis, une couche de matériel recouvrant organique hydrosoluble (WASOOM) est enduite au-dessus du modèle de vernis photosensible comprenant l'ouverture en. Après, la structure résultante est coulée pour rétrécir la taille de l'ouverture. Après que le ré-écoulement de résistance, WASOOM soit enlevé. Ainsi, en utilisant les méthodes de la présente invention, un modèle de vernis photosensible capable de former un 0.18 trou de contact de mu.m (et ci-dessous) peut être formé en utilisant un système optique conventionnel peu coûteux de lithographie. De plus, parce que WASOOM est hydrosoluble, WASOOM peut être essentiellement complètement enlevé du modèle de vernis photosensible en utilisant un processus simple de nettoyage, c.-à-d., le rinçage à l'eau, après avoir fait pour cuire au four résistent au ré-écoulement. Ainsi, les étapes de processus sont simplifiées et les problèmes tels que la difficulté dans la commande de CD et les issues environnementales sont évités.

 
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< Process for fabricating a semiconductor device having a metal oxide or a metal silicate gate dielectric layer

< Semiconductor device and manufacturing method thereof

> Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication

> Organic anti-reflective coating polymer, anti-reflective coating composition methods of preparation thereof

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