An organic anti-reflective polymer having the following Formula 1, its preparation method, an anti-reflective coating composition comprising the said organic anti-reflective polymer and a preparation method of an anti-reflective coating made therefrom. The anti-reflective coating comprising the polymer eliminates standing waves caused by the optical properties of lower layers on the wafer and by the thickness changes of the photoresist, prevents back reflection and CD alteration caused by the diffracted and reflected light from such lower layers. Such advantages enable the formation of stable ultrafine patterns suitable for 64M, 256M, 1G, 4G, and 16G DRAM semiconductor devices, improves production yields and enables control of the k value. Further, it is also possible to prevent undercutting due to an unbalanced acidity after finishing the coating. ##STR1##

Un polímero contra-reflexivo orgánico que tenía el fórmula siguiente 1, su método de la preparación, una composición de capa contra-reflexiva que abarcaba el polímero contra-reflexivo orgánico dicho y un método de la preparación de una capa contra-reflexiva hizo therefrom. La capa contra-reflexiva abarcando el polímero elimina las ondas de la situación causadas por las características ópticas de capas más bajas en la oblea y por los cambios del grueso del photoresist, previene detrás la reflexión y la alteración del CD causadas por la luz difractada y reflejada de tales capas más bajas. Tales ventajas permiten la formación de los patrones estables del ultrafine convenientes para los 64M, los 256M, el 1G, los dispositivos de semiconductor de la COPITA 4G, y 16G, mejoran producciones de la producción y permiten el control del valor de k. Además, es también posible prevenir socavar debido a una acidez desequilibrada después de acabar la capa. ## del ## STR1