An organic antireflection coating is formed on a semiconductor substrate. A resist film is formed on the semiconductor substrate through the organic antireflection coating. The resist film is patterned for forming a resist pattern having an opening. A part of the organic antireflection coating exposed on the bottom of the opening of the resist pattern is removed with atomic oxygen. Thus provided is a method of forming a resist pattern so improved as to increase the dimensional accuracy of the resist pattern.

Een organische antireflection deklaag wordt gevormd op een halfgeleidersubstraat. Verzet me tegen film wordt gevormd op het halfgeleidersubstraat door de organische antireflection deklaag. Verzet me tegen film is gevormd voor zich vormen verzetten zich tegen patroon dat het openen heeft. Een deel van de organische antireflection deklaag die op de bodem van het openen van wordt blootgesteld verzet zich tegen patroon wordt verwijderd met atoomzuurstof. Aldus op voorwaarde dat een methode is om zich te vormen verzet me tegen patroon zo beter om de dimensionale nauwkeurigheid van te verhogen verzetten zich tegen patroon.