In a process of cleaning a semiconductor substrate on which a polysilicon film serving as a silicon-based member and a tungsten film serving as a tungsten-based member are exposed simultaneously, there is used a cleaning fluid containing a hydroxide, a water-soluble organic solvent, a compound expressed by the following chemical formula (I) or (II) which is to serve as a silicon corrosion inhibitor, an organic compound, and at least one organic compound which is to serve as a tungsten corrosion inhibitor. HO-{(EO)x-(PO)y}z-H (I) R-[{(EO)x-(PO)y}z-H]m (II)

En un proceso de limpiar un substrato del semiconductor en el cual una porción de la película del polysilicon como miembro silicio-basado y una porción de la película del tungsteno como miembro tungsten-based se expongan simultáneamente, se utiliza un quitamanchas que contiene un hidróxido, un solvente orgánico soluble en agua, un compuesto expresado por el fórmula químico siguiente (i) o (ii) que es servir como un inhibidor de la corrosión del silicio, un compuesto orgánico, y por lo menos un compuesto orgánico que deba servir como inhibidor de la corrosión del tungsteno. HO-{(EO)x-(PO)y}z-H (i) R-[{(EO)x-(PO)y}z-H]m (ii)