An Ir combination film has been provided that is useful in forming an electrode of a ferroelectric capacitor. The combination film includes tantalum and oxygen, as well as iridium. The Ir combination film effectively prevents oxygen diffusion, and is resistant to high temperature annealing in oxygen environments. When used with an underlying Ta or TaN layer, the resulting conductive barrier also suppresses to diffusion of Ir into any underlying Si substrates. As a result, Ir silicide products are not formed, which degrade the electrode interface characteristics. That is, the Ir combination film remains conductive, not peeling or forming hillocks, during high temperature annealing processes, even in oxygen. A method for forming an Ir composite film barrier layer and Ir composite film ferroelectric electrode are also provided.

ИКая пленка комбинации provided that будет полезно в формировать электрод ferroelectric конденсатора. Пленка комбинации вклюает тантал и кислород, также,как иридий. ИКая пленка комбинации эффективно предотвращает диффузию кислорода, и упорна к высокому отжигу температуры в окружающих средах кислорода. При использовании с основным слоем ta или taN, приводя к проводной барьер также подавляет к диффузии иКой в все основные субстраты кремния. В результате, иКые продукты силицида не сформированы, которые ухудшают характеристики поверхности стыка электрода. That is , иКая пленка комбинации остает проводной, слезающ или формирующ hillocks, во время высоких процессов отжига температуры, ровных в кислороде. Метод для формировать иКого составного электрод слоя барьера пленки и иКой составной пленки ferroelectric также обеспечен.