A semiconductor device with dual damascene structure is provided, which suppresses propagation delay of signals without using complicated processes. The device comprises a semiconductor substrate having a lower wiring layer and electronic elements, a first dielectric layer on the substrate, a second dielectric layer on the first dielectric layer made of carbon-containing SiO.sub.2, a third dielectric layer on the second dielectric layer, a fourth dielectric layer on the third dielectric layer made of carbon containing SiO.sub.2, the first and second dielectric layers having a via hole, the third dielectric layer having a recess overlapping the via hole, the recess formed to communicate with the via hole, a metal plug formed in the via hole in contact with the lower wiring layer or the electronic elements in the substrate, a metal wiring layer formed in the recess, and a fourth dielectric layer to cover the metal wiring layer.

Ein Halbleiterelement mit damascene Verdoppelungstruktur wird zur Verfügung gestellt, die Ausbreitung verzögert von den Signalen unterdrückt, ohne schwierige Prozesse zu verwenden. Die Vorrichtung enthält ein Halbleitersubstrat, das eine niedrigere Verdrahtung Schicht und elektronische Elemente, eine erste dielektrische Schicht auf dem Substrat, eine zweite dielektrische Schicht auf der ersten dielektrischen Schicht hat, die von Carbon-enthaltenem SiO.sub.2, eine dritte dielektrische Schicht auf der zweiten dielektrischen Schicht, eine vierte dielektrische Schicht auf der dritten dielektrischen Schicht gebildet wird, die vom Carbon gebildet wird, der SiO.sub.2, die ersten enthält und zweiten dielektrischen Schichten, die a über Bohrung haben, die dritte dielektrische Schicht, eine Aussparung Überschneidung habend, die über Bohrung ist, die Aussparung, die gebildet werden, um mit über Bohrung, ein Metallstecker, der in über Bohrung in Verbindung mit der niedrigeren Verdrahtung Schicht gebildet werden oder die elektronischen Elemente im Substrat, ein Metall zu verständigen Verdrahtung Schicht bildete sich in der Aussparung und in einer vierten dielektrischen Schicht, um die Metallverdrahtung Schicht zu umfassen.