A method of manufacturing integrated circuits using a thin metal oxide film as a seed layer for building multilevel interconnects structures in integrated circuits. Thin layer metal oxide films are deposited on a wafer, and standard optical lithography is used to expose the metal oxide film in a pattern corresponding to a metal line pattern. The metal oxide film is converted to a layer of metal, and a metal film may then be deposited on the converted oxide film by either selective CVD or electroless plating. Via holes are then fabricated in a similar process using via hole lithography. The process is continued until the desired multilevel structure is fabricated.

Un metodo di produzione dei circuiti integrati che usando un ossido di metallo sottile filma mentre uno strato del seme per la costruzione multilivelli collega le strutture in circuiti integrati. Le pellicole di strato sottile dell'ossido di metallo sono depositate su una cialda e la litografia ottica standard è usata per esporre la pellicola dell'ossido di metallo in un modello che corrisponde ad una linea modello del metallo. La pellicola dell'ossido di metallo è convertita in strato di metallo e una pellicola del metallo può allora essere depositata sulla pellicola convertita dell'ossido da CVD selettivo o dalla placcatura electroless. Via i fori allora sono fabbricati in un processo simile usando via la litografia del foro. Il processo è continuato fino a fabbricare la struttura multilivelli voluta.