A semiconductor device and method for providing a light source suitable for use as a pumping light source in a Raman amplification system are provided. The device upon which the method is based includes an active layer configured to radiate light, a light reflecting facet positioned on a first side of the active layer, and a light emitting facet positioned on a second side of the active layer thereby forming a resonator between the light reflecting facet and the light emitting facet. A diffraction grating is positioned within the resonator along a portion of the length of the active layer, and a non-current injection area is formed along the diffraction grating so as to suppress injection current in the portion of the length of the active layer. The non-current injection area preferably has a length Li greater than a length Lg of the diffraction grating by an amount necessary to prevent scatter injection current from affecting the diffraction grating.

Обеспечены и метод прибора на полупроводниках для обеспечивать источник света целесообразный для пользы как нагнетая источник света в системе амплификации raman. Приспособление на метод основан вклюает активно слой установленный для того чтобы излучать свет, светлую отражая фасетку расположенную на первую сторону активно слоя, и светлую испуская фасетку расположенную на вторую сторону активно слоя таким образом формируя резонатор между светлой отражая фасеткой и светлой испуская фасеткой. Решетка огибания расположена внутри резонатор вдоль части длины активно слоя, и non-current зона впрыски сформирована вдоль решетки огибания для того чтобы подавить течение впрыски в части длины активно слоя. Non-current зона впрыски предпочтительн имеет li длины greater than длина lg решетки огибания количеством обязательно для того чтобы предотвратить течение впрыски scatter от влияния решетки огибания.