A method of fabricating a ferroelectric capacitor is disclosed. The method comprises the patterning of a top electrode layer and a dielectric layer to form a capacitor stack structure having sidewalls associated therewith. Prior to patterning the bottom electrode layer, a protective film is formed on the sidewalls of the capacitor stack structure in order to protect the dielectric material from conductive contaminants associated with a subsequent patterning of the bottom electrode layer.

Eine Methode des Fabrizierens eines ferroelectric Kondensators wird freigegeben. Die Methode enthält patterning von einer oberen Elektrode Schicht und von einer dielektrischen Schicht, um eine Kondensatorstapelstruktur zu bilden, die Seitenwände damit verbinden läßt. Vor patterning die Grundelektrodeschicht, wird ein schützender Film auf den Seitenwänden der Kondensatorstapelstruktur gebildet, um das dielektrische Material vor den leitenden verunreinigern zu schützen, die mit folgendem patterning der Grundelektrodeschicht verbunden sind.