Methods and apparatuses for fully defining static random access memory (SRAM) using phase shifting layouts are described. The approach includes identifying that a layout includes SRAM cells and defining phase shifting regions in a mask description to fully define the SRAM cells. The phase conflicts between adjacent phase shifters are resolved by selecting cutting patterns designed for the SRAM shape and functional structure. Additionally, the transistor gates of the SRAM cells can be reduced in size relative to the original SRAM layout design. Thus, an SRAM cell can be lithographically printed with small, consistent critical dimensions including extremely small gate lengths resulting in higher yields and improved performance.

I metodi e gli apparecchi per completamente la definizione della memoria di accesso casuale statica (SRAM) che usando le disposizioni di sfasamento sono descritti. Il metodo include identificare che una disposizione include le cellule di SRAM e la definizione delle regioni di sfasamento in una descrizione della mascherina completamente per definire le cellule di SRAM. I conflitti di fase fra i dispositivi di spostamento adiacenti di fase sono risolti selezionando i modelli di taglio progettati per la figura di SRAM e la struttura funzionale. Ulteriormente, i cancelli del transistore delle cellule di SRAM possono essere ridotti nel formato riguardante il disegno originale della disposizione di SRAM. Quindi, una cellula di SRAM può litografico essere stampata con le piccole, dimensioni critiche costanti compreso le lunghezze estremamente piccole del cancello con conseguente più grandi rendimenti e le prestazioni migliorate.