A magnetoresistive random access memory (MRAM) has separate read and write
paths. Switchable current mirrors, each having multiple series-connected
stages, receive a common reference current. A timing circuit provides
control signals to word and bit decoders and to the switchable current
mirrors to selectively complete current paths through a predetermined
write word line and a predetermined write bit line. Bit lines are
connected together at a common end, and word lines are connected together
at a common end. By precharging a common rail having multiple write bit
lines connected together, the write noise immunity is improved and current
spikes are minimized. Groups of bit lines may be connected via a metal
option to adjust a transition time of a programming current.
Una memoria di accesso casuale magnetoresistente (MRAM) ha colta separata e scrive i percorsi. Gli specchi correnti permutabili, ciascuno che ha fasi collegate in serie multiple, ricevono una corrente comune di riferimento. Un circuito di sincronizzazione fornisce i segnali di controllo esprimere ed ha morso i decodificatori ed agli specchi correnti permutabili per completare selettivamente i percorsi correnti con predeterminati scriva la linea di parola e predeterminato scrive la linea della punta. Le linee della punta sono collegate insieme ad un'estremità comune e le linee di parola sono collegate insieme ad un'estremità comune. Precaricando una guida comune che ha multiplo scriva le linee della punta collegate insieme, l'immunità di rumore di scrittura è migliorata ed i punti correnti sono minimizzati. I gruppi delle linee della punta possono essere collegati via un'opzione del metallo per registrare un tempo di transizione di una corrente di programmazione.
