The present invention provides a method of forming SiGe gate electrodes
using a thin nucleation layer. A dielectric layer is formed on a
semiconductor wafer and a thin silicon nucleation layer deposited on top
of the dielectric layer. A SiGe conducting film is deposited on the
patterned silicon layer. The ratio of germanium to silicon in the gaseous
source mixture for the silicon and germanium layer is selected so that the
SiGe conducting film deposits on the nucleation layer but fails to deposit
on the dielectric.
De onderhavige uitvinding verstrekt een methode om SiGe poortelektroden te vormen gebruikend een dunne nucleation laag. Een diëlektrische laag wordt op een halfgeleiderwafeltje gevormd en een dunne siliciumnucleation laag die bovenop de diëlektrische laag wordt gedeponeerd. Een SiGe die film leidt wordt gedeponeerd op de gevormde siliciumlaag. De verhouding van germanium aan silicium in het gasachtige bronmengsel voor de silicium en germaniumlaag wordt geselecteerd zodat SiGe die film leidt deponeert op de nucleation laag maar om op diëlektrisch er niet in slaagt te deponeren.
