A method for use in the fabrication of integrated circuits includes
providing a substrate assembly having a surface. A diffusion barrier layer
is formed over at least a portion of the surface. The diffusion barrier
layer is formed of RuSi.sub.x O.sub.y, where x and y are in the range of
about 0.01 to about 10. The barrier layer may be formed by depositing
RuSi.sub.x O.sub.y by chemical vapor deposition, atomic layer deposition,
or physical vapor deposition or the barrier layer may be formed by forming
a layer of ruthenium or ruthenium oxide over a silicon-containing region
and performing an anneal to form RuSi.sub.x O.sub.y from the layer of
ruthenium and silicon from the adjacent silicon-containing region.
Capacitor electrodes, interconnects or other structures may be formed with
such a diffusion barrier layer. Semiconductor structures and devices can
be formed to include diffusion barrier layers formed of RuSi.sub.x
O.sub.y.
Μια μέθοδος για τη χρήση στην επεξεργασία των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων περιλαμβάνει την παροχή μιας συνέλευσης υποστρωμάτων που έχει μια επιφάνεια. Ένα στρώμα εμποδίων διάχυσης διαμορφώνεται πέρα από τουλάχιστον μια μερίδα της επιφάνειας. Το στρώμα εμποδίων διάχυσης διαμορφώνεται RuSi.sub.x O.sub.y, όπου το Χ και το Υ είναι περίπου 0,01 σε περίπου 10. Το στρώμα εμποδίων μπορεί να διαμορφωθεί με την κατάθεση RuSi.sub.x O.sub.y από την απόθεση χημικού ατμού, την ατομική απόθεση στρώματος, ή τη φυσική απόθεση ατμού ή το στρώμα εμποδίων μπορεί να διαμορφωθεί με τη διαμόρφωση ενός στρώματος ruthenium ή ruthenium του οξειδίου πέρα από μια πυρίτιο-περιέχοντας περιοχή και η εκτέλεση ανοπτεί για να διαμορφώσει RuSi.sub.x O.sub.y από το στρώμα ruthenium και το πυρίτιο από την παρακείμενη πυρίτιο-περιέχοντας περιοχή. Τα ηλεκτρόδια πυκνωτών, διασυνδέουν ή άλλες δομές μπορούν να διαμορφωθούν με ένα τέτοιο στρώμα εμποδίων διάχυσης. Οι δομές και οι συσκευές ημιαγωγών μπορούν να διαμορφωθούν για να περιλάβουν τα στρώματα εμποδίων διάχυσης που διαμορφώνονται RuSi.sub.x O.sub.y.
