An ellipsometer capable of generating a small beam spot is disclosed. The
ellipsometer includes a light source for generating a narrow bandwidth
probe beam. An analyzer is provided for determining the change in
polarization state of the probe beam after interaction with the sample. A
lens is provided having a numerical aperture and focal length sufficient
to focus the beam to a diameter of less than 20 microns on the sample
surface. The lens is formed from a graded index glass wherein the index of
refraction varies along its optical axis. The lens is held in a relatively
stress free mount to reduce stress birefringence created in the lens due
to changes in ambient temperature. The ellipsometer is capable of
measuring features on semiconductors having a dimensions as small as
50.times.50 microns.
Показано ellipsometer способное производить малое пятно луча. Ellipsometer вклюает источник света для производить узкий луч зонда ширины полосы частот. Анализатор обеспечен для обусловливать изменение в положении поляризации луча зонда после взаимодействия с образцом. Обеспечен объектив имеющ численную апертуру и фокусное расстояние достаточно для того чтобы сфокусировать луч к диаметру меньш чем 20 микронов на определенной поверхности. Объектив сформирован от рассортированного стекла индекса при котором индекс рефракции меняет вдоль своей оптически оси. Держится, что в относительно держателе усилия свободно уменьшает объектив birefringence усилия созданный в объективе должном к изменениям в окружающей температуре. Ellipsometer способно измерять характеристики на полупроводниках имеющ размеры как малые как микроны 50.times.50.
