Small spot ellipsometer

   
   

An ellipsometer capable of generating a small beam spot is disclosed. The ellipsometer includes a light source for generating a narrow bandwidth probe beam. An analyzer is provided for determining the change in polarization state of the probe beam after interaction with the sample. A lens is provided having a numerical aperture and focal length sufficient to focus the beam to a diameter of less than 20 microns on the sample surface. The lens is formed from a graded index glass wherein the index of refraction varies along its optical axis. The lens is held in a relatively stress free mount to reduce stress birefringence created in the lens due to changes in ambient temperature. The ellipsometer is capable of measuring features on semiconductors having a dimensions as small as 50.times.50 microns.

Показано ellipsometer способное производить малое пятно луча. Ellipsometer вклюает источник света для производить узкий луч зонда ширины полосы частот. Анализатор обеспечен для обусловливать изменение в положении поляризации луча зонда после взаимодействия с образцом. Обеспечен объектив имеющ численную апертуру и фокусное расстояние достаточно для того чтобы сфокусировать луч к диаметру меньш чем 20 микронов на определенной поверхности. Объектив сформирован от рассортированного стекла индекса при котором индекс рефракции меняет вдоль своей оптически оси. Держится, что в относительно держателе усилия свободно уменьшает объектив birefringence усилия созданный в объективе должном к изменениям в окружающей температуре. Ellipsometer способно измерять характеристики на полупроводниках имеющ размеры как малые как микроны 50.times.50.

 
Web www.patentalert.com

< Integrated surface metrology

< Measurement of waveplate retardation using a photoelastic modulator

> Method of determining bulk refractive indicies of fluids from thin films thereof

> Integrated wafer cassette metrology assembly

~ 00113