Trenches for defining chip areas are formed on the surface of a
semiconductor substrate so that outlines of side walls of each of the
trenches have recesses or protrusions. Then, a sputtering film is so
formed as to be continuous in an area bridging the surface of each of the
chip areas and the inside surface of each of the trenches, and the
semiconductor substrate is diced along lines outside the trenches.
Шанцы для определять зоны обломока сформированы на поверхности субстрата полупроводника так, что планы бортовых стен каждого из шанцов будут иметь гнезда или выступания. После этого, пленка sputtering поэтому сформировано о будьте непрерывн в области наводя поверхность каждой из зон обломока и внутреннюю поверхность каждого из шанцов, и субстрат полупроводника diced вдоль линий вне шанцов.
