Systems, devices and methods are provided to improve performance of
integrated circuits by providing a low-k insulator. One aspect is an
integrated circuit insulator structure that includes a vapor-deposited
dielectric material. The dielectric material has a predetermined
microstructure formed using a glancing angle deposition (GLAD) process.
The microstructure includes columnar structures that provide a porous
dielectric material. One aspect is a method of forming a low-k insulator
structure. In one embodiment, a predetermined vapor flux incidence angle
.theta. is set with respect to a normal vector for a substrate surface so
as to promote a dielectric microstructure with individual columnar
structures. Vapor deposition and substrate motion are coordinated so as to
form columnar structures in a predetermined shape. Other aspects are
provided herein.
Los sistemas, los dispositivos y los métodos son proporcionados para mejorar el funcionamiento de circuitos integrados proporcionando un aislador bajo-k. Un aspecto es una estructura del aislador del circuito integrado que incluye un material dieléctrico vapor-depositado. El material dieléctrico tiene una microestructura predeterminada formada usando un proceso (ALEGRE) de la deposición del ángulo que echa un vistazo. La microestructura incluye las estructuras acolumnadas que proporcionan un material dieléctrico poroso. Un aspecto es un método de formar una estructura baja-k del aislador. En una encarnación, un theta predeterminado del ángulo de la incidencia del flujo del vapor. se fija con respecto a un vector normal para una superficie del substrato para promover una microestructura dieléctrica con las estructuras acolumnadas individuales. La deposición del vapor y el movimiento del substrato se coordinan para formar las estructuras acolumnadas en una forma predeterminada. Otros aspectos se proporcionan adjunto.
