A method of fabricating a semiconductor device is disclosed. A wafer
substrate is provided. A first silicon oxide layer is formed over the
wafer substrate. A nitride layer is formed over the first silicon oxide
layer using a low temperature deposition process. A second silicon oxide
layer is formed over the nitride layer. The low temperature process can
form a nitride layer for an oxide-nitride-oxide (ONO) dielectric structure
at about a temperature of 700.degree. C. By such a process, an ONO
dielectric structure can be formed using a low temperature deposition
process, which can reduce the thickness of the ONO dielectric structure.
Une méthode de fabriquer un dispositif de semi-conducteur est révélée. Un substrat de gaufrette est fourni. Une première couche d'oxyde de silicium est formée au-dessus du substrat de gaufrette. Une couche de nitrure est excédent formé la première couche d'oxyde de silicium en utilisant un procédé de dépôt de basse température. Une deuxième couche d'oxyde de silicium est formée au-dessus de la couche de nitrure. Le processus de basse température peut former une couche de nitrure pour une structure diélectrique de l'oxyde-nitrure-oxyde (ONO) à environ une température de 700.degree. C. Par un tel processus, une structure diélectrique d'ONO peut être formée en utilisant un procédé de dépôt de basse température, qui peut réduire l'épaisseur de la structure de diélectrique d'ONO.
