An aspect the present invention is to provide a semiconductor device
including at least one MISFET structure having an element isolation region
formed on a surface portion of a semiconductor substrate to have a closed
region, an element region formed on the surface region of the
semiconductor substrate to surround the element isolation region, a gate
insulating film formed to cover at least the surface of the element
region, a contact region formed on the element isolation region, and at
least four gate electrodes connected to the contact region and formed on
the surface of the element region via the gate insulating film to extend
to at least outside the element region.
Μια πτυχή η παρούσα εφεύρεση είναι να παρασχεθεί μια συσκευή ημιαγωγών συμπεριλαμβανομένης τουλάχιστον μιας δομής MISFET που έχει μια περιοχή απομόνωσης στοιχείων διαμορφωμένη σε μια μερίδα επιφάνειας ενός υποστρώματος ημιαγωγών για να έχει μια κλειστή περιοχή, της περιοχής στοιχείων που διαμορφώνεται στην περιοχή επιφάνειας του υποστρώματος ημιαγωγών για να περιβάλει την περιοχή απομόνωσης στοιχείων, μια μονώνοντας ταινία πυλών που διαμορφώνεται για να καλύψει τουλάχιστον την επιφάνεια της περιοχής στοιχείων, περιοχής επαφών που διαμορφώνονται στην περιοχή απομόνωσης στοιχείων, και τουλάχιστον τεσσάρων ηλεκτροδίων πυλών που συνδέονται με την περιοχή επαφών και που διαμορφώνονται στην επιφάνεια της περιοχής στοιχείων μέσω της μονώνοντας ταινίας πυλών για να επεκταθούν τουλάχιστον έξω από την περιοχή στοιχείων.
