Disclosed are apparatus and methods for characterizing a potential defect
of a semiconductor structure. A charged particle beam is scanned over a
structure which has a potential defect. X-rays are detected from the
scanned structure. The X-rays are in response to the charged particle beam
being scanned over the structure. The potential defect of the scanned
structure is characterized based on the detected X-rays. For example, it
may be determined whether a potentially defective via has a SiO.sub.2 plug
defect by comparing an X-ray count ratio of oxygen over silicon of the
defective via with an X-ray count ratio of a known defect-free reference
via. If the defective via has a relatively high ratio (more oxygen than
silicon) as compared to the reference via, then it may be determined that
a SiO.sub.2 plug defect is present within the defective via. Otherwise,
the via may be defmed as having a different type of defect (e.g., not a
SiO.sub.2 plug defect) or defined resulting in a "false" defect.
Accordingly, specific embodiments of the present invention may be utilized
to filter "false" defects from a defect sample.
Gegeben Apparate und Methoden für das Kennzeichnen eines möglichen Defektes einer Halbleiterstruktur frei. Ein belasteter Partikellichtstrahl wird über einer Struktur abgelichtet, die einen möglichen Defekt hat. Röntgenstrahlen werden von der abgelichteten Struktur ermittelt. Die Röntgenstrahlen sind in Erwiderung auf den belasteten Partikellichtstrahl, der über der Struktur abgelichtet wird. Der mögliche Defekt der abgelichteten Struktur wird gründete auf den ermittelten Röntgenstrahlen gekennzeichnet. Z.B. kann es festgestellt werden, ob ein möglicherweise defektes einen Defekt über des Steckers SiO.sub.2 hat, indem es ein Röntgenstrahlzählimpulsverhältnis des Sauerstoffes über Silikon vom defekten über mit einem Röntgenstrahlzählimpulsverhältnis eines bekannten fehlerfreien Hinweises über vergleicht. Wenn das defekte über ein verhältnismäßig hohes Verhältnis (mehr Sauerstoff als Silikon) verglichen mit dem Hinweis über hat, dann kann es festgestellt werden, daß ein Defekt des Steckers SiO.sub.2 innerhalb des defekten über anwesend ist. Andernfalls über kann sein defmed als, eine andere Art Defekt (z.B., nicht ein Defekt des Steckers SiO.sub.2) habend oder definierte das Resultieren in einem "falschen" Defekt. Dementsprechend können spezifische Verkörperungen der anwesenden Erfindung verwendet werden, um "falsche" Defekte von einer Defektprobe zu filtern.
