A bidirectional semiconductor component having two symmetrical MOS
transistor structures integrated laterally in a substrate and connected
antiserially, their drain terminals being connected to one another. A zone
having the same type of conductivity as the drain region yet a higher
doping than that of the drain region is situated upstream from a pn
junction of one of the MOS transistors in a junction area with the drain
region.
Een tweerichtingshalfgeleidercomponent die twee symmetrische MOS die lateraal in een substraat worden geïntegreerd en antiserially verbonden transistorstructuren heeft, hun afvoerkanaalterminals die elkaar worden verbonden met. Een streek die het zelfde type van geleidingsvermogen heeft zoals het afvoerkanaalgebied nog het hogere smeren dan dat van het afvoerkanaalgebied is stroomopwaarts gesitueerd van een pn verbinding van één van de MOS transistors op een verbindingsgebied met het afvoerkanaalgebied.
