An IGBT has a thick buffer region with increased doping to improve
self-clamped inductive switching and device manufacture. A planar or
trench gate IGBT has a buffer layer more than 25 microns thick. The buffer
layer is doped high enough so that its carriers are more numerous than
minority carriers, particularly at the transition between the N buffer & N
drift region.
Un IGBT a une région épaisse d'amortisseur avec enduire accru pour améliorer la fabrication inductive de commutation et de dispositif de art de l'auto-portrait-clamped. Une porte IGBT planaire ou de fossé fait poser un amortisseur plus de 25 microns d'épaisseur. La couche d'amortisseur est enduite assez haut de sorte que ses porteurs soient plus nombreux que des porteurs de minorité, en particulier à la transition entre la région d'amortisseur de N et de dérive de N.
