A structure protects CMOS logic from substrate minority carrier injection
caused by the inductive switching of a power device. A single Integrated
Circuit (IC) supports one or more power MOSFETs and one or more arrays of
CMOS logic. A highly doped ring is formed between the drain of the power
MOSFET and the CMOS logic array to provide a low resistance path to ground
for the injected minority carriers. Under the CMOS logic is a highly doped
buried layer to form a region of high recombination for the injected
minority carriers. One or more CMOS devices are formed above the buried
layer. The substrate is a resistive and the injected current is
attenuated. The well in which the CMOS devices rest forms a low resistance
ground plane for the injected minority carriers.
Een structuur beschermt CMOS logica tegen de dragerinjectie van de substraatminderheid die door de aanleidinggevende omschakeling van een machtsapparaat wordt veroorzaakt. Één enkele Geïntegreerde schakeling (IC) steunt één of meerdere macht MOSFETs en één of meerdere series van CMOS logica. Een hoogst gesmeerde ring wordt gevormd tussen het afvoerkanaal van machtsmosfet en de CMOS logicaserie om een lage weerstandsweg te verstrekken voor de ingespoten minderheidsdragers aan de grond te zetten. Onder CMOS is de logica een hoogst gesmeerde begraven laag om een gebied van hoge nieuwe combinatie voor de ingespoten minderheidsdragers te vormen. Één of meerdere CMOS apparaten worden gevormd boven de begraven laag. Het substraat is weerstand biedende en ingespoten stroom wordt verminderd. De put waarin de CMOS apparaten rusten vormt een laag vliegtuig van de weerstandsgrond voor de ingespoten minderheidsdragers.
