A semiconductor device and a manufacturing method thereof are obtained
which can restrain increase of the parasitic capacitance generated between
contact plugs of source/drain regions and a gate electrode while reducing
the area of the source/drain regions. A channel region is formed under a
gate electrode 1. A pair of source/drain regions 2 are formed to sandwich
the channel region. The source/drain regions 2 have a first part 3a being
adjacent to the channel region and a second part 3b formed to protrude in
a channel width direction from the first part 3a so that a part of outer
peripheries of the source/drain regions 2 extend away from the gate
electrode 1 in a plan view. Contact plugs 4 are formed on the second part
3b for connecting the source/drain regions 2 to source/drain wirings.
Un dispositif de semi-conducteur et une méthode de fabrication on obtient en qui peuvent retenir l'augmentation de la capacité parasite produite entre les prises de contact de régions de source/drain et une électrode de porte tout en réduisant le secteur des régions de source/drain. Une région de canal est formée sous une électrode de porte 1. Une paire de régions 2 de source/drain sont formées pour serrer la région de canal. Les régions 2 de source/drain ont une première partie 3a être à côté de la région et d'une deuxième partie 3b de canal formées pour dépasser dans une direction de largeur de canal de la première partie 3a de sorte qu'une partie de périphéries externes des régions 2 de source/drain se prolongent loin de l'électrode de porte 1 dans une vue de plan. Les prises 4 de contact sont formées sur la deuxième pièce 3b pour relier les régions 2 de source/drain aux câblages de source/drain.
