A semiconductor-on-insulator (SOI) device. The SOI device includes a
substrate having a buried oxide layer disposed thereon and an active layer
disposed on the buried oxide layer. The active layer has an active region
defined by isolation regions, the active region having a source and a
drain with a body disposed therebetween. The source and the drain have a
selectively grown silicon-germanium region disposed under an upper layer
of selectively grown silicon. The silicon-geranium regions form
heterojunction portions respectively along the source/body junction and
the drain/body junction.
Μια συσκευή ημιαγωγός-$$$-ΜΟΝΩΤΏΝ (SOI). Η συσκευή SOI περιλαμβάνει ένα υπόστρωμα που έχει ένα θαμμένο στρώμα οξειδίων διατεθειμένων επ'αυτού και ένα ενεργό στρώμα διατεθειμένο στο θαμμένο στρώμα οξειδίων. Το ενεργό στρώμα καθορίζει μια ενεργό περιοχή από τις περιοχές απομόνωσης, η ενεργός περιοχή που έχουν μια πηγή και ένας αγωγός με ένα σώμα που διατίθεται. Η πηγή και ο αγωγός διαθέτουν μια επιλεκτικά αυξημένη περιοχή πυρίτιο-γερμανίου κάτω από ένα ανώτερο στρώμα του επιλεκτικά αυξημένου πυριτίου. Οι περιοχές πυρίτιο-γερανιών διαμορφώνουν τις μερίδες ετεροεπαφής αντίστοιχα κατά μήκος της σύνδεσης πηγής/σωμάτων και της σύνδεσης αγωγών/σωμάτων.
