A method of making a semiconductor device includes providing a first
element formed of a first substantially electrically conductive material
and having an upper surface. A second element adjacent to the first
element is provided. The second element is formed of a first substantially
non-electrically conductive material. An upper surface of the second
element slopes downwardly toward the upper surface of the first element. A
first layer of a second substantially non-electrically conductive material
is disposed over the upper surface of the first element and the upper
surface of the second element. The first layer has a thickness in the
vertical direction that is greater in an area over the downward slope of
the second element than in an area over the first element. An etching
process is performed such that the layer is perforated above the upper
surface of the first element and imperforated in the vertically thicker
area above the downwardly sloping upper surface of the second element.
Une méthode de la fabrication d'un dispositif de semi-conducteur inclut fournir un premier élément constitué d'un premier essentiellement électriquement matériel conducteur et avoir un extrados. Un deuxième élément à côté du premier élément est fourni. Le deuxième élément est constitué d'un premier matériel essentiellement non-électrique conducteur. Un extrados du deuxième élément incline de haut en bas vers l'extrados du premier élément. Une première couche d'un matériel essentiellement non-électrique conducteur de seconde est disposée au-dessus de l'extrados du premier élément et de l'extrados du deuxième élément. La première couche a une épaisseur dans la direction verticale qui est plus grande dans un secteur au-dessus de la pente de haut en bas du deuxième élément que dans un excédent de secteur le premier élément. Un processus gravure à l'eau-forte est effectué tels que la couche est perforée au-dessus de l'extrados du premier élément et imperforated dans le secteur verticalement plus épais au-dessus de l'extrados de haut en bas en pente du deuxième élément.
