Method for electroless deposition of phosphorus-containing metal films onto copper with palladium-free activation

   
   

The method for selective deposition of Co--W--P system films onto copper with palladium-free activation consists of creating hydrogen-rich complexes on the metal surface prior to deposition. More specifically, the method consists of creating the aforementioned complexes on the copper surfaces prior to electroless deposition of a Co--W--P system films. This is achieved by contacting the copper surface with reducing agents for a short period of time and under an elevated temperature. Such reducing agents comprise a hypophosphorous-acid-based or borane-based reducing agents such as dimethylamine borane. Hypophosphorous acid is preferred since it is more compatible with the electroless deposition solution.

Η μέθοδος για την εκλεκτική απόθεση του κοβαλτίου -- W -- ταινίες συστημάτων π επάνω στο χαλκό με την παλλάδιο-ελεύθερη ενεργοποίηση αποτελείται από τη δημιουργία των υδρογόνο-πλούσιων συγκροτημάτων στην επιφάνεια μετάλλων πριν από την απόθεση. Πιό συγκεκριμένα, η μέθοδος αποτελείται από τη δημιουργία των προαναφερθέντων συγκροτημάτων στις επιφάνειες χαλκού πριν από την electroless απόθεση ενός κοβαλτίου -- W -- ταινίες συστημάτων π. Αυτό επιτυγχάνεται με την επαφή της επιφάνειας χαλκού με τους μειώνοντας πράκτορες για μια μικρή χρονική περίοδο και κάτω από ανυψωμένης θερμοκρασίας. Τέτοιοι μειώνοντας πράκτορες περιλαμβάνουν τους υποφωσφορώδης-όξινος-βασισμένους ή ψορανε-βασισμένους μειώνοντας πράκτορες όπως η διμεθυλαμίνη borane. Το υποφωσφορώδες οξύ προτιμάται δεδομένου ότι είναι συμβατότερο με τη electroless λύση απόθεσης.

 
Web www.patentalert.com

< Slurry for CMP, and method of manufacturing semiconductor device

< Process for fabricating a metal wiring and metal contact in a semicondutor device

> Mechanically scanned wet chemical processing

> Method and apparatus for reducing microtrenching for borderless vias created in a dual damascene process

~ 00134