A semiconductor device includes two semiconductor chips that are interposed
between a pair of radiation members, and thermally and electrically
connected to the radiation members. One of the radiation members has two
protruding portions and front ends of the protruding portions are
connected to principal electrodes of the semiconductor chips. The
radiation members are made of a metallic material containing Cu or Al as a
main component. The semiconductor chips and the radiation members are
sealed with resin with externally exposed radiation surfaces.
Un dispositif de semi-conducteur inclut deux morceaux de semi-conducteur qui sont interposés entre une paire de membres de rayonnement, et thermiquement et électriquement relié aux membres de rayonnement. Un des membres de rayonnement a deux parties saillantes et des embouts avant des parties saillantes sont reliés à de principales électrodes des morceaux de semi-conducteur. Les membres de rayonnement sont faits d'un matériel métallique contenant le Cu ou l'Al comme composant principal. Les morceaux de semi-conducteur et les membres de rayonnement sont scellés avec de la résine avec les surfaces extérieurement exposées de rayonnement.
