Embodiments of the present invention are directed to packaged power
semiconductor devices and direct-bonded metal substrates thereof. In one
embodiment, a method for manufacturing a power semiconductor device
comprises inserting a substrate assembly into a furnace having a plurality
of process zones. The substrate assembly includes a first aluminum layer
and a second aluminum layer that are electrically isolated from each other
by a dielectric layer. The method further comprises providing the
substrate assembly successively into each of the plurality of process
zones to bond the first and second aluminum layers to the dielectric layer
and obtain a direct bonded aluminum (DAB) substrate, attaching a
semiconductor die to the first aluminum layer of the DAB substrate, and
forming an enclosure around the semiconductor die and the DAB substrate
while exposing a substantial portion of the second aluminum layer for
enhanced heat dissipation.
Verkörperungen der anwesenden Erfindung werden auf verpackte Energie Halbleiterelemente und verweisen-abgebundene Metallsubstrate davon verwiesen. In einer Verkörperung enthält eine Methode für die Produktion eines Energie Halbleiterelements das Einsetzen eines Substrates in einen Ofen, der eine Mehrzahl von Prozeßzonen hat. Das Substrat schließt eine erste Aluminiumschicht und eine zweite Aluminiumschicht ein, die elektrisch von einander durch eine dielektrische Schicht lokalisiert werden. Die weitere Methode enthält das Substrat mehrmals hintereinander zur Verfügung stellen in jede der Mehrzahl von Prozeßzonen, um die ersten und zweiten Aluminiumschichten zur dielektrischen Schicht abzubinden und ein direktes verbundenes Aluminium (KLEKS) Substrat, bringt einen Halbleiterwürfel zur ersten Aluminiumschicht des KLEKS-Substrates, an und bildet eine Einschließung um den Halbleiterwürfel und das KLEKS-Substrat beim Herausstellen eines erheblichen Teils der zweiten Aluminiumschicht zu erhalten für erhöhte Wärmeableitung.
