A bipolar high-voltage power component, in particular an IGBT, includes a
semiconductor body on which at least two mutually spaced apart electrodes
are provided, between which a drift path is formed in a semiconductor
region of a first conduction type. Floating zones of a second conduction
type, opposite the first conduction type, are provided in the
semiconductor region. When the power component is switched on or switched
off, the floating zones respectively emit charge carriers of the second
conduction type into the semiconductor region or take up the charge
carriers from the semiconductor region. The floating zones are connected,
through a respective MOS transistor with a channel of the second
conduction type or a bipolar transistor with a base of the first
conduction type, to active regions of the power component which are
connected to the two electrodes.
Un componente ad alta tensione bipolare di alimentazione, in particolare un IGBT, include un corpo a semiconduttore su cui almeno due elettrodi diversi reciprocamente spaziati sono forniti, fra cui un percorso della direzione è formato in una regione a semiconduttore di un primo tipo di conduzione. Le zone di galleggiante di un secondo tipo di conduzione, di fronte al primo tipo di conduzione, sono fornite nella regione a semiconduttore. Quando il componente di alimentazione è inserito o è spento, le zone di galleggiante emettono rispettivamente gli elementi portanti della carica del secondo tipo di conduzione nella regione a semiconduttore o prendono gli elementi portanti della carica dalla regione a semiconduttore. Le zone di galleggiante sono collegate, tramite un transistore rispettivo del MOS con una scanalatura del secondo tipo di conduzione o un transistore bipolare con una base del primo tipo di conduzione, alle regioni attive del componente di alimentazione che sono collegate ai due elettrodi.
