Disclosed is a semiconductor device comprising a first transistor and a
second transistor formed on a semiconductor substrate, wherein a gate side
wall of the second transistor has a thickness equal to that of a gate side
wall of the first transistor, wherein each of the first and second
transistors has an inner low impurity diffusion region and an outer high
impurity diffusion region, and wherein the size of the inner low impurity
diffusion region of the second transistor along the surface of the
semiconductor substrate is larger than that of the inner low impurity
diffusion region of the first transistor.
Gegeben ein Halbleiterelement frei, das einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor gebildet werden auf einem Halbleitersubstrat enthält, worin eine seitliche Wand des Gatters des zweiten Transistors eine Stärke hat, die der einer seitlichen Wand des Gatters des ersten Transistors gleich ist, worin jeder der ersten und zweiten Transistoren eine innere niedrige Verunreinigung Diffusion (Zerstäubung) Region und eine äußere hohe Verunreinigung Diffusion (Zerstäubung) Region hat und worin die Größe der inneren niedrigen Verunreinigung Diffusion (Zerstäubung) Region des zweiten Transistors entlang der Oberfläche des Halbleitersubstrates größer als die der inneren niedrigen Verunreinigung Diffusion (Zerstäubung) Region des ersten Transistors ist.
