A semiconductor device comprising: an SOI substrate having a surface
semiconductor layer, a gate electrode formed on the surface semiconductor
layer via a gate insulating film, first conductive type source/drain
regions formed in the surface semiconductor layer of both sides of the
gate electrode, a second conductive type drawing diffusion layer formed in
the surface semiconductor layer and contacted with at least one of the
first conductive type source/drain regions, and a silicide layer which is
formed on the surface semiconductor layer to partially or entirely overlie
both said at least one of source/drain regions and the drawing diffusion
layer, the silicide layer being grounded.
Μια συσκευή ημιαγωγών περιλαμβάνοντας: ένα υπόστρωμα SOI που έχει ένα στρώμα ημιαγωγών επιφάνειας, ένα ηλεκτρόδιο πυλών που διαμορφώνεται στο στρώμα ημιαγωγών επιφάνειας μέσω μιας μονώνοντας ταινίας πυλών, πρώτες αγώγιμες πηγή τύπων/περιοχές αγωγών που διαμορφώνεται στο στρώμα ημιαγωγών επιφάνειας και των δύο πλευρών του ηλεκτροδίου πυλών, ένα δεύτερο αγώγιμο στρώμα διάχυσης σχεδίων τύπων που διαμορφώνεται στο στρώμα ημιαγωγών επιφάνειας και που έρχεται σε επαφή με με τουλάχιστον μια από τις πρώτες αγώγιμες περιοχές πηγής/αγωγών τύπων, και ένα στρώμα μεταλλικής ένωσης πυριτίου που διαμορφώνεται στο στρώμα ημιαγωγών επιφάνειας μερικώς ή εξ ολοκλήρου επικαλύπτει και ο δύο εν λόγω τουλάχιστον μια από τις περιοχές πηγής/αγωγών και το στρώμα διάχυσης σχεδίων, το στρώμα μεταλλικής ένωσης πυριτίου που στηρίζονται.
