Dual metal-alloy nitride gate electrodes

   
   

An embodiment of the invention is a gate electrode 70 having a nitrided high work function metal alloy 170 and a low work function nitrided metal alloy 190. Another embodiment of the invention is a method of manufacturing a gate electrode 70 that includes forming and then patterning and etching a layer of high work function nitrided metal alloy 170, forming a layer of low work function nitrided metal alloy 190, and then patterning and etching layers 170 and 190.

Воплощением вымысла будет электрод строба 70 имея а nitrided высокий сплав 170 металла функции работы и низкая функция работы nitrided сплав 190 металла. Другим воплощением вымысла будет метод изготовлять электрод строба 70 вклюает формировать и после этого делать по образцу и вытравлять слой высокой функции работы nitrided сплав 170 металла, формируя слой низкой функции работы nitrided сплав 190, и после этого делать по образцу и вытравлять металла слои 170 и 190.

 
Web www.patentalert.com

< Microelectronic device package with an integral window mounted in a recessed lip

< Packaging of MEMS devices using a thermoplastic

> Wavelength switch with independent channel equalization

> Optical waveguide switch

~ 00140