Method of determining charge loss activation energy of a memory array

   
   

A method of determining charge loss activation for a memory array. Memory arrays are programmed with a pattern for testing charge loss. Then, respective bake times are calculated for the memory arrays to experience a given amount of charge loss at their respective bake temperatures. Then, charge loss activation energy is calculated, based on the respective bake times. In one version, the memory arrays are cycled by repeatedly erasing and reprogramming them before baking. In another embodiment, various regions of the memory arrays are programmed to a plurality of distinct delta threshold voltages before baking.

Метод обусловливать активацию потери обязанности для блока памяти. Блоки памяти запрограммированы с картиной для испытывая потери обязанности. После этого, соответственно испеките времена высчитайте, что для блоков памяти испытать, котор дали количество потери обязанности на их соответственно испеките температуры. После этого, высчитана энергия активации потери обязанности, после того как она основана на соответственно печет времена. В одном варианте, блоки памяти задействованы повторно стирать и перепрограммировать их перед печь. В другом воплощении, различные зоны блоков памяти запрограммированы к множественности определенных напряжений тока порога перепада перед печь.

 
Web www.patentalert.com

< System and method for detecting defects on a structure-bearing surface using optical inspection

< Endpoint detection in substrate fabrication processes

> Method of automatic layout design for LSI, mask set and semiconductor integrated circuit manufactured by automatic layout design method, and recording medium storing automatic layout design program

> Method and apparatus for analyzing composition of defects

~ 00141