A method of determining charge loss activation for a memory array. Memory
arrays are programmed with a pattern for testing charge loss. Then,
respective bake times are calculated for the memory arrays to experience a
given amount of charge loss at their respective bake temperatures. Then,
charge loss activation energy is calculated, based on the respective bake
times. In one version, the memory arrays are cycled by repeatedly erasing
and reprogramming them before baking. In another embodiment, various
regions of the memory arrays are programmed to a plurality of distinct
delta threshold voltages before baking.
Метод обусловливать активацию потери обязанности для блока памяти. Блоки памяти запрограммированы с картиной для испытывая потери обязанности. После этого, соответственно испеките времена высчитайте, что для блоков памяти испытать, котор дали количество потери обязанности на их соответственно испеките температуры. После этого, высчитана энергия активации потери обязанности, после того как она основана на соответственно печет времена. В одном варианте, блоки памяти задействованы повторно стирать и перепрограммировать их перед печь. В другом воплощении, различные зоны блоков памяти запрограммированы к множественности определенных напряжений тока порога перепада перед печь.
