In order to be able to detect an irradiation position of an electron beam
matching a defect position and conduct composition analysis of a defect
with high precision and high efficiency, in the present invention, when a
composition analysis target defect is selected and irradiation conditions
of the electron beam are set for EDX analysis, a low-resolution reference
image of low resolution is acquired using the electron beam at a defect
corresponding position corresponding to the position of this defect on a
chip in the vicinity of a target chip including defects, and a
low-resolution defect image of the same low resolution is next acquired at
the defect position of the target chip. Then, by comparing these
low-resolution images, the defect position is acquired, the electron beam
is slanted and irradiated on this defect position to acquire a composition
spectrum of the defect.
Per potere rilevare una posizione di irradiazione di un fascio elettronico che abbina un difetto posizioni e conduca l'analisi della composizione di un difetto con alta precisione e l'alta efficienza, nella presente invenzione, quando un difetto dell'obiettivo di analisi della composizione è selezionato e stati di irradiazione del fascio elettronico è regolata per analisi di EDX, un'immagine low-resolution di riferimento di risoluzione bassa è acquistata usando il fascio elettronico ad una posizione corrispondente di difetto che corrisponde alla posizione di questo difetto su un circuito integrato nelle vicinanze di un circuito integrato dell'obiettivo compreso i difetti e un'immagine low-resolution di difetto della stessa risoluzione bassa dopo sarà acquistata alla posizione di difetto del circuito integrato dell'obiettivo. Allora, confrontando queste immagini low-resolution, la posizione di difetto è acquistata, il fascio elettronico è fatto pendere ed irradiato su questa posizione di difetto per acquistare uno spettro della composizione del difetto.
