Method and apparatus for analyzing composition of defects

   
   

In order to be able to detect an irradiation position of an electron beam matching a defect position and conduct composition analysis of a defect with high precision and high efficiency, in the present invention, when a composition analysis target defect is selected and irradiation conditions of the electron beam are set for EDX analysis, a low-resolution reference image of low resolution is acquired using the electron beam at a defect corresponding position corresponding to the position of this defect on a chip in the vicinity of a target chip including defects, and a low-resolution defect image of the same low resolution is next acquired at the defect position of the target chip. Then, by comparing these low-resolution images, the defect position is acquired, the electron beam is slanted and irradiated on this defect position to acquire a composition spectrum of the defect.

Per potere rilevare una posizione di irradiazione di un fascio elettronico che abbina un difetto posizioni e conduca l'analisi della composizione di un difetto con alta precisione e l'alta efficienza, nella presente invenzione, quando un difetto dell'obiettivo di analisi della composizione è selezionato e stati di irradiazione del fascio elettronico è regolata per analisi di EDX, un'immagine low-resolution di riferimento di risoluzione bassa è acquistata usando il fascio elettronico ad una posizione corrispondente di difetto che corrisponde alla posizione di questo difetto su un circuito integrato nelle vicinanze di un circuito integrato dell'obiettivo compreso i difetti e un'immagine low-resolution di difetto della stessa risoluzione bassa dopo sarà acquistata alla posizione di difetto del circuito integrato dell'obiettivo. Allora, confrontando queste immagini low-resolution, la posizione di difetto è acquistata, il fascio elettronico è fatto pendere ed irradiato su questa posizione di difetto per acquistare uno spettro della composizione del difetto.

 
Web www.patentalert.com

< Method of determining charge loss activation energy of a memory array

< Method of automatic layout design for LSI, mask set and semiconductor integrated circuit manufactured by automatic layout design method, and recording medium storing automatic layout design program

> Mechanically-stable BJT with reduced base-collector capacitance

> Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

~ 00168