A method of collating and using captured semiconductor-wafer image data in
an automated defect analysis. The method includes the steps of receiving
image data and, if necessary, converting it to a digital format. Once the
data is in pixel-by-pixel form, each pixel is assigned a slope value
derived from the direction of the structure edge, if any, on which it
lies. The pixel-slope data is then evaluated to determine whether a
photo-resist anomaly is present. The method may also include evaluated an
average pixel slope value for each inspected wafer. Dependant claims
further define the invention to claim an inspection system for employing
the method.
Een methode om gevangen halfgeleider-wafeltje beeldgegevens in een geautomatiseerde tekortanalyse bij elkaar te brengen en te gebruiken. De methode omvat de stappen van het ontvangen van beeldgegevens en, indien nodig, het omzetten van het in een digitaal formaat. Zodra de gegevens in pixel-door-pixel vorm zijn, wordt elk pixel een hellingswaarde toegewezen die uit de richting van de structuurrand, eventueel, wordt afgeleid waarop het ligt. Wordt het pixel-helling gegeven dan geëvalueerd om te bepalen of een photo-resist anomalie aanwezig is. De methode kan ook omvatten geëvalueerd een gemiddelde waarde van de pixelhelling voor elk geïnspecteerd wafeltje. De afhankelijke eisen bepalen verder de uitvinding om een inspectiesysteem te eisen om de methode aan te wenden.
